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高密度存储和磁电子材料的关键技术取得了突破

发布日期: 2019-11-23 09:52 发布者: 幸运时时彩 浏览数: 186

  高灵敏度磁传感器和隔离耦合设备是一种新型的存储和磁电子技术,具有良好的应用前景!。在移动通信、个人计算机、数码&#;相机、电子;标签等领域具有广泛的市场价值。“十二五”期间,863计划在新材料技术领域;支持高密度存储和磁电子材!料,关键技术。最近,科技部高科技部在北京组织了一位专家来接受幸运时时彩这个主题项目。

  本&#;项目开展了与CMOS工艺兼容的阻变和电极材料组合系统研制的TaOX阻变存储器。芯片制造基于中芯国际一体化电路制造有限公司8&#;英寸0.1&#;3毫米标准逻辑生产线芯片读取时间达到10纳秒。操作电压满足0.13nm或0.1nm技术标准逻辑工艺IO承载电压,开发出低热导率新型超晶体相变材料。开发了不对称的环形微电极结构相变存储器单元,以制备相变存储器阵列、,并对磁电子材料进行了研究,如磁隧道结构。。磁性传感器原型装置是基于磁性电子材料的双芯和三芯单通道数据隔离耦;合接口芯片。该&#;项目的实施突破了先进的高密度存储和磁电子设备的关键技术。它在我国新,型电子材料技术和信息产业的发展中起着重要、的作用。

  “十三五”期间,科技部制定了“十三五”规划,以促进、我国材料领、域的科技创新和产业,化发展。并将战、略先进电子材料作为第三代半导体和微电子材料开发的重点之一。为了解决半导体和微电子产业面临的重大共同问题,核心半导体材料的设&#;计和生产过程的优化和关键;技术的发;展、取得了突破。努力促进跨境技术的集成,抓住先进电子技术的高度.

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